采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB12NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：160W
阈值电压：5V@50µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：130，"22+"：1000，"23+"：9800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB50R199CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：3.5V@660µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@9.9A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：130，"22+"：1000，"23+"：9800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB50R199CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：3.5V@660µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@9.9A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD18N55M5
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：192mΩ@8A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB50R140CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：3.5V@930µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2540pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@14A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB20NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：49165，"16+"：7271，"17+"：8450，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB50R299CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.5V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6.6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB12NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：160W
阈值电压：5V@50µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB12NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：160W
阈值电压：5V@50µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB12NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：160W
阈值电压：5V@50µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB12NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：160W
阈值电压：5V@50µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：49165，"16+"：7271，"17+"：8450，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB50R299CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.5V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6.6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB50R140CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：3.5V@930µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2540pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@14A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD18N55M5
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：192mΩ@8A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB12NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：160W
阈值电压：5V@50µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL36N55M5
工作温度：150℃
功率：2.8W€150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@100V
连续漏极电流：22.5A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@16.5A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：130，"22+"：1000，"23+"：9800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB50R199CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：3.5V@660µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@9.9A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：130，"22+"：1000，"23+"：9800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB50R199CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：3.5V@660µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@9.9A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：130，"22+"：1000，"23+"：9800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB50R199CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：3.5V@660µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@9.9A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB50R140CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：3.5V@930µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2540pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@14A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB12NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：160W
阈值电压：5V@50µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：49165，"16+"：7271，"17+"：8450，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB50R299CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.5V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6.6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：49165，"16+"：7271，"17+"：8450，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB50R299CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.5V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6.6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB20NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD18N55M5
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：192mΩ@8A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB20NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD18N55M5
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：192mΩ@8A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD18N55M5
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：192mΩ@8A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB12NM50T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：160W
阈值电压：5V@50µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@6A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD18N55M5
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：192mΩ@8A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
