采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R099C7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1819pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@9.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD5867NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€43W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R099C7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4V@490µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1819pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@9.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCJ220N25TL
工作温度：150℃
功率：1.56W€40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@11A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R110CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB28N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@100V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：15031}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6246-75C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1280pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@10A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C645NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD221N06TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@10V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y43-60E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17571Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：468pF@15V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1373，"16+"：16000，"18+"：18463，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB22N03S4L15ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：31W
阈值电压：2.2V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：980pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13202Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：997pF@6V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€45W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17571Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：468pF@15V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD15571Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.9V@250µA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：419pF@10V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13202Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：997pF@6V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCJ220N25TL
工作温度：150℃
功率：1.56W€40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@11A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€45W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C645NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD221N06TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@10V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C645NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L220SNTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@10V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：EPC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EPC2010C
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：2.5V@3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@100V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@12A，5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C645NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD221N06TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@10V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCJ220N25TL
工作温度：150℃
功率：1.56W€40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@11A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€45W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2320pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
