采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：3.5V@700µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@500V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD3400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DKI04103
工作温度：150℃
功率：32W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@18.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD3400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@200µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DKI04103
工作温度：150℃
功率：32W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@25V
连续漏极电流：29A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@18.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5752}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD3400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD3400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：3.5V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@500V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：3.5V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@500V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：3.5V@700µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@500V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN15H310SK3-13
工作温度：-55℃~155℃
功率：32W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD3400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@200µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD3400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：3.5V@700µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@500V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：464，"19+"：1813}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：3.5V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@500V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN15H310SK3-13
工作温度：-55℃~155℃
功率：32W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN15H310SK3-13
工作温度：-55℃~155℃
功率：32W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：3.5V@700µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@500V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：3.5V@700µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@500V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD3400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：3.5V@700µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@500V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：3.5V@700µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@500V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：3.5V@700µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@500V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：3.5V@700µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@500V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD3400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：464，"19+"：1813}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：3.5V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@500V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD3400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@200µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD3400N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4.5V@200µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN15H310SK3-13
工作温度：-55℃~155℃
功率：32W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：3.5V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@500V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
