采购热线 400-661-9010
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0855DPB-00#J5
工作温度：150℃
功率：60W
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@100V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N03S2L20ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：2V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC160N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@33µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@50V
连续漏极电流：8.8A€42A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK560P60Y，RQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R600P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@500V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK560P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P60D(TE16L1，NQ)
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0655DPB-00#J5
工作温度：150℃
功率：60W
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB6N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：232pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06LAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD6N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：232pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y102-100B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：12.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：779pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：15031}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6246-75C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1280pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@10A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD9N40M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R800CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@1.5A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.7V@350µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@300V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD64N4F6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2415pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4N90K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：173pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB6N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：232pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@100V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N03S2L20ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：2V@23µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4N90K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：173pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK560P60Y，RQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2N105K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：115pF@100V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@750mA，10V
漏源电压：1050V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK560P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC160N10NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@33µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@50V
连续漏极电流：8.8A€42A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
