品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT008N06NM5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:980pF@30V
连续漏极电流:454A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@150A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ186ER-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10552pF@25V
连续漏极电流:329A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7480MTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:3.9V@150µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6680pF@25V
连续漏极电流:217A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@132A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7480MTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:3.9V@150µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6680pF@25V
连续漏极电流:217A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@132A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":683}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBLS0D5N04CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€198.4W
阈值电压:4V@475µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12600pF@25V
连续漏极电流:65A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.57mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ186ER-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10552pF@25V
连续漏极电流:329A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E350BNTB
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7900pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2400,"MI+":1600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8443
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9310pF@25V
连续漏极电流:25A€120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7480MTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:3.9V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6680pF@25V
连续漏极电流:217A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@132A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N12S305ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11570pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@100A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E350BNTB
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7900pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBLS0D5N04CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€198.4W
阈值电压:4V@475µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12600pF@25V
连续漏极电流:65A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.57mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT008N06NM5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:980pF@30V
连续漏极电流:454A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@150A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2400,"MI+":1600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8443
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9310pF@25V
连续漏极电流:25A€120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM100N10-10_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8050pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM50028EM_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11900pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT008N06NM5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:980pF@30V
连续漏极电流:454A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@150A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7480MTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:3.9V@150µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6680pF@25V
连续漏极电流:217A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@132A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":735,"22+":572,"23+":700}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N12S305ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11570pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@100A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT008N06NM5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:980pF@30V
连续漏极电流:454A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@150A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E350BNTB
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7900pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ186ER-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10552pF@25V
连续漏极电流:329A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N12S305ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11570pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@100A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N12S305ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@240µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11570pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@100A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7480MTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:3.9V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6680pF@25V
连续漏极电流:217A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@132A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7480MTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:3.9V@150µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6680pF@25V
连续漏极电流:217A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@132A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E350BNTB
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7900pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7480MTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:3.9V@150µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6680pF@25V
连续漏极电流:217A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@132A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ186ER-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10552pF@25V
连续漏极电流:329A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":735,"22+":572,"23+":700}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N12S305ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11570pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@100A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存: