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    Microchip Mosfet场效应管 TN2504N8-G 起订2个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN2504N8-G 起订2个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN2504N8-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:125pF@20V

    连续漏极电流:890mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN 起订3000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN 起订3000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6443-TL-W 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6443-TL-W 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CPH6443-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@20V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@3A,10V

    漏源电压:35V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4026SK3-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4026SK3-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4026SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1181pF@20V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4430BDY-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4430BDY-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4430BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:36nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC645N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1460pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4368DY-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4368DY-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4368DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8340pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4026SK3-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4026SK3-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4026SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1181pF@20V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC645N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1460pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@50V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC645N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1460pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 DN3545N8-G 起订3个装
    Microchip Mosfet场效应管 DN3545N8-G 起订3个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DN3545N8-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@150mA,0V

    漏源电压:450V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN 起订4个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN 起订4个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6012SPSQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6012SPSQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6012SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1926pF@30V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 VN2450N8-G 起订2个装
    Microchip Mosfet场效应管 VN2450N8-G 起订2个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):VN2450N8-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:13Ω@400mA,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC8601 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC8601 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC8601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@50V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:109mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@50V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 EFC4615R-TR 起订18个装
    onsemi Mosfet场效应管 EFC4615R-TR 起订18个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EFC4615R-TR

    工作温度:150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.3V@1mA

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:24V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 DN2540N8-G 起订2个装
    Microchip Mosfet场效应管 DN2540N8-G 起订2个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DN2540N8-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N沟道

    导通电阻:25Ω@120mA,0V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4442DY-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4442DY-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4442DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308CDS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308CDS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:105pF@30V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:144mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 DN3545N8-G 起订3个装
    Microchip Mosfet场效应管 DN3545N8-G 起订3个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DN3545N8-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@150mA,0V

    漏源电压:450V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 DN2540N8-G 起订3个装
    Microchip Mosfet场效应管 DN2540N8-G 起订3个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DN2540N8-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N沟道

    导通电阻:25Ω@120mA,0V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TN0104N8-G 起订3个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN0104N8-G 起订3个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN0104N8-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.6V@500µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:70pF@20V

    连续漏极电流:630mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@1A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC645N 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC645N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1460pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC637BNZ 起订27个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC637BNZ 起订27个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC637BNZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:895pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3512 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3512 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3512

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:634pF@40V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:77mΩ@3A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TN2504N8-G 起订25个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN2504N8-G 起订25个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN2504N8-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:125pF@20V

    连续漏极电流:890mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC637BNZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC637BNZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC637BNZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:895pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5661N-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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