采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R1K4CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3.5V@70µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：178pF@100V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@900mA，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.1A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2392ADS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@50V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：126mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R1K5CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@100V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2065UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.1A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.1A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.1A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R1K4CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3.5V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：178pF@100V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@900mA，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFR320TR-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@1.9A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.1A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.1A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR320TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@1.9A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.1A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFR320TRL-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@1.9A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.1A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.1A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.1A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV55ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：478mW€8.36W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR320TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@1.9A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2065UWQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
