品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17581Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:1.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@15V
连续漏极电流:24A€123A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17581Q3AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€63W
阈值电压:1.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK764R0-40E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:182W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4405pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17581Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:1.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@15V
连续漏极电流:24A€123A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4160DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2071pF@15V
连续漏极电流:25.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R3-40MLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:101W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3794pF@20V
连续漏极电流:118A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4160DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2071pF@15V
连续漏极电流:25.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB055N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:3.8V@55µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@40V
连续漏极电流:94A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB35N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:210W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17581Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€63W
阈值电压:1.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@15V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7S2R5-40HJ
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3793pF@25V
连续漏极电流:140A
类型:N沟道
导通电阻:2.51mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4160DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2071pF@15V
连续漏极电流:25.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB35N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:210W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"9999":2476}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP207-TL-H
工作温度:150℃
功率:50W
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2710pF@20V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@33A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5020TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€8.3W
阈值电压:5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2290pF@100V
连续漏极电流:5.1A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5020TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€8.3W
阈值电压:5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2290pF@100V
连续漏极电流:5.1A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB35N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:210W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4160DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2071pF@15V
连续漏极电流:25.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17581Q3AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€63W
阈值电压:1.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB055N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:3.8V@55µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@40V
连续漏极电流:94A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86369
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5020TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€8.3W
阈值电压:5V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2290pF@100V
连续漏极电流:5.1A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ478DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: