采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4013DW7TL
工作温度：175℃
功率：267W
阈值电压：4.8V@30.8mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4580pF@500V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4013DW7TL
工作温度：175℃
功率：267W
阈值电压：4.8V@30.8mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4580pF@500V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SCT4013DW7TL
工作温度：175℃
功率：267W
阈值电压：4.8V@30.8mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4580pF@500V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SCT4013DW7TL
工作温度：175℃
功率：267W
阈值电压：4.8V@30.8mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4580pF@500V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
漏源电压：750V
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规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SCT4013DW7TL
工作温度：175℃
功率：267W
阈值电压：4.8V@30.8mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4580pF@500V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
漏源电压：750V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4013DW7TL
工作温度：175℃
功率：267W
阈值电压：4.8V@30.8mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4580pF@500V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SCT4013DW7TL
工作温度：175℃
功率：267W
阈值电压：4.8V@30.8mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4580pF@500V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
漏源电压：750V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4013DW7TL
工作温度：175℃
功率：267W
阈值电压：4.8V@30.8mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4580pF@500V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4013DW7TL
工作温度：175℃
功率：267W
阈值电压：4.8V@30.8mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4580pF@500V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4013DW7TL
工作温度：175℃
功率：267W
阈值电压：4.8V@30.8mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4580pF@500V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4013DW7TL
工作温度：175℃
功率：267W
阈值电压：4.8V@30.8mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4580pF@500V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4013DW7TL
工作温度：175℃
功率：267W
阈值电压：4.8V@30.8mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4580pF@500V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4013DW7TL
工作温度：175℃
功率：267W
阈值电压：4.8V@30.8mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4580pF@500V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4013DW7TL
工作温度：175℃
功率：267W
阈值电压：4.8V@30.8mA
栅极电荷：170nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4580pF@500V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4013DW7TL
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4580pF@500V
阈值电压：4.8V@30.8mA
漏源电压：750V
类型：N沟道
连续漏极电流：98A
工作温度：175℃
栅极电荷：170nC@18V
功率：267W
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
输入电容：6000pF@25V
漏源电压：60V
连续漏极电流：98A
功率：115W
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4013DW7TL
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4580pF@500V
阈值电压：4.8V@30.8mA
漏源电压：750V
类型：N沟道
连续漏极电流：98A
工作温度：175℃
栅极电荷：170nC@18V
功率：267W
导通电阻：16.9mΩ@58A，18V
包装清单：商品主体 * 1
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