采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R190C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：151W
阈值电压：3.5V@630µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH080N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：184W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2557pF@100V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ456EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3342pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H615NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€139W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4860pF@30V
连续漏极电流：28A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@49A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP60N04VUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€105W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.85mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ601-ZK-E1-AZ
工作温度：150℃
功率：1W€65W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF740STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18511Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.45V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@10V
连续漏极电流：159A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@24A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255ET150
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4480pF@75V
连续漏极电流：10A€63A
类型：N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18511Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.45V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@10V
连续漏极电流：159A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@24A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1833
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€94W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R190C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：151W
阈值电压：3.5V@630µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC2D8N025S
工作温度：-55℃~150℃
功率：47W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4615pF@13V
连续漏极电流：124A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@28A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH080N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：184W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2557pF@100V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255ET150
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4480pF@75V
连续漏极电流：10A€63A
类型：N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH080N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：184W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2557pF@100V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ601-ZK-E1-AZ
工作温度：150℃
功率：1W€65W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€94W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€94W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€94W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L180GNTB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@30V
连续漏极电流：18A€68A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ601-ZK-E1-AZ
工作温度：150℃
功率：1W€65W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3300pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
