采购热线 400-661-9010
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0350120J-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：40.8W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@1000V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：455mΩ@3.6A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1110ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：114mΩ@3.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3B04N8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：23.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2480pF@15V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3B04N8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：23.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2480pF@15V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB20EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@10V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN4A06KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：827pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：761402}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C13NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€21.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：108000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB16XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：775pF@15V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT451AN
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3025LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@15V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT451AN
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1110ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：114mΩ@3.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1110ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：114mΩ@3.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1110ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：114mΩ@3.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN4A06KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：827pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN4A06KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：827pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT451AN
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0350120J-TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：40.8W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@1000V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：455mΩ@3.6A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN4A06KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：827pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB20EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@10V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT451AN
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT451AN
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1110ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：114mΩ@3.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT451AN
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN4A06KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：827pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1110ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€39W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@100V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：114mΩ@3.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3622，"21+"：20000，"22+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R1K0CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：328pF@100V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT451AN
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C13NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€21.5W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB20EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@10V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
