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    品牌: 东芝(TOSHIBA)
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N沟道
    当前匹配商品:2900+
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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPHR9203PL1,LQ 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPHR9203PL1,LQ 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPHR9203PL1,LQ

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.1V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7540pF@15V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.92mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPCA8026(TE12L,Q,M 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPCA8026(TE12L,Q,M 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPCA8026(TE12L,Q,M

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€45W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4200pF@10V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@23A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN11006NL,LQ 起订4个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN11006NL,LQ 起订4个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN11006NL,LQ

    工作温度:150℃

    功率:700mW€30W

    阈值电压:2.5V@200µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@30V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.4mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ

    工作温度:150℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@610µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@300V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ 起订2500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ 起订2500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ

    工作温度:150℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@610µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@300V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN11003NL,LQ 起订5个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN11003NL,LQ 起订5个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN11003NL,LQ

    工作温度:150℃

    功率:700mW€19W

    阈值电压:2.3V@100µA

    栅极电荷:7.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K504NU,LF 起订3000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K504NU,LF 起订3000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K504NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:19.5mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW1R005PL,L1Q 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW1R005PL,L1Q 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPW1R005PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9600pF@22.5V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH6400ENH,L1Q 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH6400ENH,L1Q 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH6400ENH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€57W

    阈值电压:4V@300µA

    栅极电荷:11.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10P60W,RVQ 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10P60W,RVQ 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK10P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:3.7V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH3R203NL,L1Q 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH3R203NL,L1Q 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH3R203NL,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€44W

    阈值电压:2.3V@300µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@15V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR6003PL,L1Q 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR6003PL,L1Q 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPWR6003PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10000pF@15V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH8R903NL,LQ 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH8R903NL,LQ 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH8R903NL,LQ

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€24W

    阈值电压:2.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TKR74F04PB,LXGQ 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TKR74F04PB,LXGQ 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TKR74F04PB,LXGQ

    工作温度:175℃

    功率:375W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:227nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14200pF@10V

    连续漏极电流:250A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.74mΩ@125A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K819R,LXHF 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K819R,LXHF 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K819R,LXHF

    工作温度:175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@100µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:25.8mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN13008NH,L1Q 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN13008NH,L1Q 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN13008NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:700mW€42W

    阈值电压:4V@200µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@40V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.3mΩ@9A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW1R306PL,L1Q 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW1R306PL,L1Q 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPW1R306PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8100pF@30V

    连续漏极电流:260A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.29mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN13008NH,L1Q 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN13008NH,L1Q 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN13008NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:700mW€42W

    阈值电压:4V@200µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@40V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.3mΩ@9A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK31V60X,LQ 起订2500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK31V60X,LQ 起订2500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK31V60X,LQ

    工作温度:150℃

    功率:240W

    阈值电压:3.5V@1.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@300V

    连续漏极电流:30.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:98mΩ@9.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K15AMFV,L3F 起订12个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K15AMFV,L3F 起订12个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K15AMFV,L3F

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13.5pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K16CT,L3F 起订13个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K16CT,L3F 起订13个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K16CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1.1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.3pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@10mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR7904PB,L1XHQ 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPWR7904PB,L1XHQ 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPWR7904PB,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6650pF@10V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.79mΩ@75A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LXHF 起订9个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LXHF 起订9个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LXHF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R306NH1,LQ 起订5000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R306NH1,LQ 起订5000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2R306NH1,LQ

    工作温度:150℃

    功率:800mW€170W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@30V

    连续漏极电流:136A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2010FNH,L1Q 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2010FNH,L1Q 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2010FNH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€42W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@100V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:198mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10P60W,RVQ 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10P60W,RVQ 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK10P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:3.7V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K36FS,LF 起订12个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K36FS,LF 起订12个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K36FS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.23nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:630mΩ@200mA,5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN2010FNH,L1Q 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN2010FNH,L1Q 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN2010FNH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:700mW€39W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@100V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:198mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN1110ENH,L1Q 起订5000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN1110ENH,L1Q 起订5000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN1110ENH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:700mW€39W

    阈值电压:4V@200µA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@100V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:114mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7S10N1Z,LQ 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7S10N1Z,LQ 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7S10N1Z,LQ

    工作温度:175℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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