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    包装方式: 卷带(TR)
    类型: N沟道
    漏源电压: 150V
    当前匹配商品:3600+
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    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDB110N15A 起订2个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDB110N15A 起订2个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB110N15A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:234W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4510pF@75V

    连续漏极电流:92A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@92A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC160N15NS5SCATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC160N15NS5SCATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC160N15NS5SCATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:4.6V@60µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1820pF@75V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@28A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT054N15N5ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT054N15N5ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT054N15N5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:4.6V@181µA

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@75V

    连续漏极电流:143A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3415STRLPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3415STRLPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF3415STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:43A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@22A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800150DC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMT800150DC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMT800150DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8205pF@75V

    连续漏极电流:15A€99A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872ADP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872ADP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR872ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1286pF@75V

    连续漏极电流:53.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC2512-P 起订1158个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC2512-P 起订1158个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":3000,"22+":5487,"MI+":2406}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC2512-P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:344pF@75V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:425mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH15H017SPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH15H017SPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH15H017SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€107W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2344pF@75V

    连续漏极电流:11A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ872EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ872EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ872EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1045pF@25V

    连续漏极电流:24.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:35.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB390N15A 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB390N15A 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB390N15A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1285pF@75V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:39mΩ@27A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS72DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS72DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS72DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@75V

    连续漏极电流:7A€25.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR622DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR622DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR622DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1516pF@75V

    连续漏极电流:64.6A€56.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS2572 起订2500个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS2572 起订2500个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS2572

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@25V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT15H017LPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT15H017LPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT15H017LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3369pF@75V

    连续漏极电流:9.4A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVBGS4D1N15MC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVBGS4D1N15MC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVBGS4D1N15MC

    工作温度:-55℃~175℃

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:88.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7285pF@75V

    连续漏极电流:20A€185A

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB048N15N5LFATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB048N15N5LFATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB048N15N5LFATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:4.9V@255µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@75V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC093N15NS5ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC093N15NS5ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC093N15NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:139W

    阈值电压:4.6V@107µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3230pF@75V

    连续漏极电流:87A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@44A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RH6R025BHTB1 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 RH6R025BHTB1 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RH6R025BHTB1

    工作温度:150℃

    功率:2W€59W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@75V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0403NSATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0403NSATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0403NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.6V@91µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@75V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@35A,10

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7738DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@75V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR632DP-T1-RE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR632DP-T1-RE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR632DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@75V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:34.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR872DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2130pF@75V

    连续漏极电流:53.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS72DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS72DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS72DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@75V

    连续漏极电流:7A€25.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS2572 起订2个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS2572 起订2个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS2572

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@25V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC074N15NS5ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC074N15NS5ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC074N15NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:214W

    阈值电压:4.6V@136µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@75V

    连续漏极电流:114A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6775MTRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6775MTRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF6775MTRPBF

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:2.8W€89W

    阈值电压:5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1411pF@25V

    连续漏极电流:4.9A€28A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7430DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€64W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1735pF@50V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPTG039N15NM5ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPTG039N15NM5ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPTG039N15NM5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€319W

    阈值电压:4.6V@243µA

    栅极电荷:93nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7300pF@75V

    连续漏极电流:21A€190A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7846DP-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7846DP-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7846DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB060N15N5ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB060N15N5ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB060N15N5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:4.6V@180µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@75V

    连续漏极电流:136A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@68A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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