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    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC007N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2940pF@40V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@21A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS64DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS64DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS64DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS26DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:3.6V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1710pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3105TRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3105TRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR3105TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:57W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@15A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD2N60A 起订3个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD2N60A 起订3个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD2N60A

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK25S06N1L,LXHQ 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK25S06N1L,LXHQ 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK25S06N1L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:855pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:36.8mΩ@12.5A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LCDC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LCDC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC007N08LCDC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3070pF@40V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.8mΩ@22A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC007N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2940pF@40V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@21A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD2N60A 起订3个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD2N60A 起订3个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD2N60A

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK25S06N1L,LXHQ 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK25S06N1L,LXHQ 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK25S06N1L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:855pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:36.8mΩ@12.5A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS28DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS28DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS28DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.52mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3105TRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3105TRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR3105TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:57W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@15A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS10DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS10DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS10DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS98DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS98DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS98DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:608pF@100V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@7A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3105TRPBF 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3105TRPBF 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR3105TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:57W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@15A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3707ZSTRLPBF 起订8个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF3707ZSTRLPBF 起订8个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1701

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF3707ZSTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:57W

    阈值电压:2.25V@25µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1210pF@15V

    连续漏极电流:59A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@21A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA60DP-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA60DP-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA60DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:60nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7650pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.94mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL18N65M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STL18N65M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL18N65M2

    工作温度:150℃

    功率:57W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:764pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:365mΩ@4A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC008N08C 起订397个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC008N08C 起订397个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1590,"22+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC008N08C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:4V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2150pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@21A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC007N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2940pF@40V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@21A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-30MLC,115 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-30MLC,115 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN7R0-30MLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:57W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1076pF@15V

    连续漏极电流:67A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":20,"18+":20,"21+":1027,"22+":3204,"23+":11315,"24+":15000,"MI+":5915}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC007N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2940pF@40V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@21A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N12S3L31ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N12S3L31ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N12S3L31ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:57W

    阈值电压:2.4V@29µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1970pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@30A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3105TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3105TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR3105TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:57W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@15A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS28DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS28DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS28DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.52mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N12S3L31ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N12S3L31ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N12S3L31ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:57W

    阈值电压:2.4V@29µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1970pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@30A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC520N15NS3GATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC520N15NS3GATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC520N15NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:4V@35µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:890pF@75V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC007N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2940pF@40V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@21A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N10S3L34ATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N10S3L34ATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N10S3L34ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:57W

    阈值电压:2.4V@29µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1976pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N12S3L31ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N12S3L31ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N12S3L31ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:57W

    阈值电压:2.4V@29µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1970pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@30A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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