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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3310FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3310FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：带盒（TB）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2110ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3310A
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：散装
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2110ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2510N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：P沟道
导通电阻：3.5Ω@750mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：散装
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2110ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2110K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2110A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3310FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：带盒（TB）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3310A
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：散装
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3310A
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：散装
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3310ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3310FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3310ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3310A
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：散装
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3310FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3310FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210ASTZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：带盒（TB）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：450mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3310FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2510N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：480mA
类型：P沟道
导通电阻：3.5Ω@750mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3310FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
