品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS412DN-T1-GE3-ES
功率:20.8W
阈值电压:1.5V
栅极电荷:9.8nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
反向传输电容:55pF
导通电阻:14mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS412DN-T1-GE3-ES
功率:20.8W
阈值电压:1.5V
栅极电荷:9.8nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
反向传输电容:55pF
导通电阻:14mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS412DN-T1-GE3-ES
功率:20.8W
阈值电压:1.5V
栅极电荷:9.8nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
反向传输电容:55pF
导通电阻:14mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK25A20D,S5X
工作温度:-55℃~+150℃
功率:45W
阈值电压:1.5V
栅极电荷:60nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:70mΩ
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK25A20D,S5X
工作温度:-55℃~+150℃
功率:45W
阈值电压:1.5V
栅极电荷:60nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:70mΩ
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK25A20D,S5X
工作温度:-55℃~+150℃
功率:45W
阈值电压:1.5V
栅极电荷:60nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:70mΩ
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK25A20D,S5X
工作温度:-55℃~+150℃
功率:45W
阈值电压:1.5V
栅极电荷:60nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:70mΩ
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK25A20D,S5X
工作温度:-55℃~+150℃
功率:45W
阈值电压:1.5V
栅极电荷:60nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:70mΩ
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: