采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6068SEQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.2A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3458BDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.2A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.2A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3458BDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.2A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
