采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6016LK3-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：46.9A€10.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD3055LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：107mΩ@8A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2308
功率：1W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，2.6A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308A
功率：1.25W
阈值电压：3V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308A
功率：1.25W
阈值电压：3V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD3055LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：107mΩ@8A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.66W€1.09W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：6.8nC@10V
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：1.9A€2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD3055LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：107mΩ@8A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD3055LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：107mΩ@8A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308A
功率：1.25W
阈值电压：3V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD12N06RLESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：49W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@16A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308A
功率：1.25W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@16A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308A
功率：1.25W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD3055LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：107mΩ@8A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD3055LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：107mΩ@8A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD3055LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：107mΩ@8A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.09W€1.66W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：6.8nC@10V
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@10V，1.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250μA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6140L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@40V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@16A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308A
功率：1.25W
阈值电压：3V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2308
功率：1W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，2.6A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD3055LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：107mΩ@8A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD12N06RLESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：49W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
