采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.66W€1.09W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：6.8nC@10V
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：1.9A€2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.09W€1.66W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：6.8nC@10V
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@10V，1.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS4608LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€27.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：905pF@30V
连续漏极电流：12.6A€36.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.66W€1.09W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：6.8nC@10V
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：1.9A€2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS4608LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€27.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：905pF@30V
连续漏极电流：12.6A€36.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS4608LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€27.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：905pF@30V
连续漏极电流：12.6A€36.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS4608LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€27.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：905pF@30V
连续漏极电流：12.6A€36.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS4608LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€27.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：905pF@30V
连续漏极电流：12.6A€36.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS4608LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
功率：3.3W€27.1W
输入电容：905pF@30V
连续漏极电流：12.6A€36.2A
漏源电压：60V
栅极电荷：23nC@10V
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.66W€1.09W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：6.8nC@10V
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：1.9A€2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.66W€1.09W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：6.8nC@10V
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：1.9A€2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：100nC@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.6mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：4.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.2A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，8.7A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：58mΩ@10V，5.4A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：58mΩ@10V，5.4A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.09W€1.66W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：6.8nC@10V
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@10V，1.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3458BDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：58mΩ@10V，5.4A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.09W€1.66W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：6.8nC@10V
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@10V，1.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：160nC@10V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：58mΩ@10V，5.4A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.09W€1.66W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：6.8nC@10V
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@10V，1.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.09W€1.66W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@10V，1.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4850EY-T1-E3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：100nC@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.6mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，8.7A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，8.7A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.09W€1.66W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：6.8nC@10V
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@10V，1.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.09W€1.66W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：6.8nC@10V
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@10V，1.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
