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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308BDS-T1-BE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308BDS-T1-BE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.66W€1.09W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    输入电容:190pF@30V

    连续漏极电流:1.9A€2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:156mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308BDS-T1-GE3 起订数426000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308BDS-T1-GE3 起订数426000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.09W€1.66W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    输入电容:190pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:156mΩ@10V,1.9A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.3W€27.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:905pF@30V

    连续漏极电流:12.6A€36.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308BDS-T1-BE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308BDS-T1-BE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.66W€1.09W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    输入电容:190pF@30V

    连续漏极电流:1.9A€2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:156mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.3W€27.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:905pF@30V

    连续漏极电流:12.6A€36.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.3W€27.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:905pF@30V

    连续漏极电流:12.6A€36.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP85N10-10-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP85N10-10-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.75W€250W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:160nC@10V

    输入电容:6.55nF@25V

    连续漏极电流:85A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10V,30A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.3W€27.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:905pF@30V

    连续漏极电流:12.6A€36.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7848BDP-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7848BDP-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:4.2W€36W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:2nF@20V

    连续漏极电流:47A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,16A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.3W€27.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:905pF@30V

    连续漏极电流:12.6A€36.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4608LDN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    类型:1个N沟道

    功率:3.3W€27.1W

    输入电容:905pF@30V

    连续漏极电流:12.6A€36.2A

    漏源电压:60V

    栅极电荷:23nC@10V

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    阈值电压:3V@250μA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308BDS-T1-BE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308BDS-T1-BE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.66W€1.09W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    输入电容:190pF@30V

    连续漏极电流:1.9A€2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:156mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:4nC@5V

    输入电容:225pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@10V,2.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2304BDS-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:4nC@5V

    输入电容:225pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@10V,2.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308BDS-T1-BE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308BDS-T1-BE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.66W€1.09W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    输入电容:190pF@30V

    连续漏极电流:1.9A€2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:156mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7460DP-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7460DP-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:100nC@10V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.6mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3458BDV-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3458BDV-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:2W

    阈值电压:3V@250μA

    连续漏极电流:4.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.2A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,8.7A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:58mΩ@10V,5.4A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2316BDS-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W€1.66W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:9.6nC@10V

    输入电容:350pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@10V,3.9A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:58mΩ@10V,5.4A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7884BDP-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7884BDP-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:4.6W€46W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:77nC@10V

    输入电容:3.54nF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308BDS-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308BDS-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.09W€1.66W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    输入电容:190pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:156mΩ@10V,1.9A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:540pF@20V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7892BDP-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7892BDP-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@4.5V

    输入电容:3.775nF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:58mΩ@10V,5.4A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308BDS-T1-GE3 起订数25个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308BDS-T1-GE3 起订数25个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.09W€1.66W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    输入电容:190pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:156mΩ@10V,1.9A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7478DP-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7478DP-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:160nC@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:58mΩ@10V,5.4A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7336ADP-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7336ADP-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:5.4W

    阈值电压:3V@250μA

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3mΩ@10V,25A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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