品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.66W€1.09W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:6.8nC@10V
输入电容:190pF@30V
连续漏极电流:1.9A€2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.09W€1.66W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:6.8nC@10V
输入电容:190pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@10V,1.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.3W€27.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:905pF@30V
连续漏极电流:12.6A€36.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.66W€1.09W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:6.8nC@10V
输入电容:190pF@30V
连续漏极电流:1.9A€2.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.3W€27.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:905pF@30V
连续漏极电流:12.6A€36.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.3W€27.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:905pF@30V
连续漏极电流:12.6A€36.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.3W€27.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:905pF@30V
连续漏极电流:12.6A€36.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:4.2W€36W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:2nF@20V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,16A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.3W€27.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:905pF@30V
连续漏极电流:12.6A€36.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
功率:3.3W€27.1W
输入电容:905pF@30V
连续漏极电流:12.6A€36.2A
漏源电压:60V
栅极电荷:23nC@10V
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:6.8nC@10V
连续漏极电流:1.9A€2.3A
导通电阻:156mΩ@1.9A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:190pF@30V
类型:1个N沟道
功率:1.66W€1.09W
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:160nC@10V
类型:1个N沟道
功率:1.9W
连续漏极电流:15A
漏源电压:60V
导通电阻:7.5mΩ@20A,10V
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2304BDS-T1-E3
导通电阻:70mΩ@10V,2.5A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:225pF@15V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:2.6A
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:4nC@5V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:750mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:21mΩ@9.5A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:45nC@10V
类型:1个N沟道
功率:1.5W
连续漏极电流:6A
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:15nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
功率:750mW
输入电容:540pF@20V
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:3A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS892ADN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
连续漏极电流:28A
输入电容:550pF@50V
栅极电荷:19.5nC@10V
导通电阻:33mΩ@10A,10V
阈值电压:3V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.7W€52W
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:15nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
功率:750mW
输入电容:540pF@20V
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:3A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:1.09W€1.66W
栅极电荷:6.8nC@10V
连续漏极电流:2.3A
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:190pF@30V
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250μA
导通电阻:156mΩ@10V,1.9A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:1.09W€1.66W
栅极电荷:6.8nC@10V
连续漏极电流:2.3A
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:190pF@30V
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250μA
导通电阻:156mΩ@10V,1.9A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:4nC@5V
导通电阻:70mΩ@10V,2.5A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:225pF@15V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:2.6A
功率:750mW
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:100nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
功率:1.9W
连续漏极电流:11A
导通电阻:9.6mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存: