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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.35nF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道
导通电阻：29mΩ@10V，7.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.35nF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道
导通电阻：29mΩ@10V，7.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.35nF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道
导通电阻：29mΩ@10V，7.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4nC@5V
输入电容：225pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4nC@5V
输入电容：225pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@5V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@10V，5.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：65nC@10V
输入电容：1.96nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：18mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@5V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：2个P沟道
导通电阻：47mΩ@6.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个P沟道
导通电阻：25mΩ@10V，7.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：2个P沟道
导通电阻：47mΩ@6.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：250nC@10V
输入电容：8.65nF@15V
连续漏极电流：60A
类型：1个P沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：25mΩ@9.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个P沟道
导通电阻：25mΩ@10V，7.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W€1.66W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9.6nC@10V
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，3.9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@10V，5.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@4.5V
输入电容：3.775nF@15V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：65nC@10V
输入电容：1.96nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：18mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：40mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个P沟道
导通电阻：25mΩ@10V，7.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：2个N沟道
导通电阻：36mΩ@10V，5.9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@10V，5.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4nC@5V
输入电容：225pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4nC@5V
输入电容：225pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W€1.25W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10nC@5V
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N沟道
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：78mΩ@10V，3.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：78mΩ@10V，3.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：2个N沟道
导通电阻：36mΩ@10V，5.9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
