采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4953S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道
导通电阻：36mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：9A€10A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4953S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道
导通电阻：36mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5547，"21+"：368，"22+"：2450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：9A€10A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4953S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道
导通电阻：36mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.25nF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：26mΩ@6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC654P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC654P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：75mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.25nF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：26mΩ@6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6612A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6612A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：16nC@5V
输入电容：1.205nF@15V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.5mΩ@10V，11A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6690A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：16nC@5V
输入电容：1.205nF@15V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.5mΩ@10V，11A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.35nF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道
导通电阻：29mΩ@10V，7.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：760mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
输入电容：371.3pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：90mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6690A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：16nC@5V
输入电容：1.205nF@15V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.5mΩ@10V，11A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：200pF@15V
连续漏极电流：1.13A
类型：1个P沟道
导通电阻：200mΩ@10V，1.95A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@10V，3.1mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：23nC@5V
输入电容：1.62nF@15V
连续漏极电流：12.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10V，12.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4953S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道
导通电阻：36mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
