采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@4.5V
输入电容：3.775nF@15V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：12.9nC@10V
输入电容：608pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：24mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：12.9nC@10V
输入电容：608pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：24mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@4.5V
输入电容：3.775nF@15V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
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阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@4.5V
输入电容：3.775nF@15V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
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功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@4.5V
输入电容：3.775nF@15V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
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