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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
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栅极电荷：17.2nC@10V
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输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
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功率：1.8W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：7.3A
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导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
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连续漏极电流：7.3A
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导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
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输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
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功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17.2nC@10V
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输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
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功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17.2nC@10V
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输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
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导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：13.9nC@10V
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道
导通电阻：50mΩ@10V，6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17.2nC@10V
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输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
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功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
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输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
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导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
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功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
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输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
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功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17.2nC@10V
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输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：13.9nC@10V
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道
导通电阻：50mΩ@10V，6A
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
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功率：1.8W
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栅极电荷：17.2nC@10V
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输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
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功率：1.8W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
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连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.3A
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17.2nC@10V
功率：1.8W
输入电容：969pF@30V
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@4.5V
输入电容：3.775nF@15V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：12.9nC@10V
输入电容：608pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：24mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：12.9nC@10V
输入电容：608pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：24mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@4.5V
输入电容：3.775nF@15V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10.3nC@10V
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：66mΩ@10V，4.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
