品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:11nC@5V
输入电容:955pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:29mΩ@10V,6A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:58mΩ@10V,5.4A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:58mΩ@10V,5.4A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:58mΩ@10V,5.4A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:58mΩ@10V,5.4A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G400P06S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:46nC@10V
输入电容:2.506nF@30V
连续漏极电流:6A
类型:1个P沟道
导通电阻:33mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G400P06S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:46nC@10V
输入电容:2.506nF@30V
连续漏极电流:6A
类型:1个P沟道
导通电阻:33mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:11nC@5V
输入电容:955pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:29mΩ@10V,6A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:45nC@10V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:21mΩ@9.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G400P06S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:46nC@10V
输入电容:2.506nF@30V
连续漏极电流:6A
类型:1个P沟道
导通电阻:33mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:21mΩ@9.5A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:45nC@10V
类型:1个N沟道
功率:1.5W
连续漏极电流:6A
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存: