采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：1.8nC@4.5V
输入电容：193pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，1.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：1.3nC@4.5V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2236
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@10V，2.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：1.3nC@4.5V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2236
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@10V，2.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2236
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@10V，2.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2236
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@10V，2.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN361BN
栅极电荷：1.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，1.4A
阈值电压：3V@250μA
功率：500mW
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：193pF@15V
连续漏极电流：1.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
