采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：18N10
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：1.318nF@50V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8647L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€43W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.64nF@20V
连续漏极电流：14A€42A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，13A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8447L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€44W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.97nF@20V
连续漏极电流：15.2A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.5mΩ@10V，14A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：9A€10A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8449
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@20V
连续漏极电流：7.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，7.6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5547，"21+"：368，"22+"：2450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA8878
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：9A€10A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，6.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.66W€1.09W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：6.8nC@10V
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：1.9A€2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD50N04-8M8P-4GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€48.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：14A€50A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8447
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.6nF@20V
连续漏极电流：12.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8447L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€44W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.97nF@20V
连续漏极电流：15.2A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.5mΩ@10V，14A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：18N10
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：1.318nF@50V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.25nF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：26mΩ@6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：141000，"23+"：47500，"MI+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.54nF@50V
连续漏极电流：8A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：22.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8647L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€43W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.64nF@20V
连续漏极电流：14A€42A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，13A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
