采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@5V
连续漏极电流：8.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V，10.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@5V
连续漏极电流：8.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V，10.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@5V
输入电容：1.872nF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：27mΩ@10V，8.2A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@5V
连续漏极电流：8.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V，10.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@5V
连续漏极电流：8.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V，10.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@5V
输入电容：1.872nF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：27mΩ@10V，8.2A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@5V
输入电容：1.872nF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：27mΩ@10V，8.2A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：40V
功率：1.5W
连续漏极电流：8.7A
导通电阻：14mΩ@10V，10.5A
类型：1个P沟道
栅极电荷：55nC@5V
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP4A57E6TA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：833pF@20V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.14W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：51mΩ@10V，12A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@5V
连续漏极电流：8.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V，10.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：140nC@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.2mΩ@10V，18.6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：140nC@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.2mΩ@10V，18.6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@5V
连续漏极电流：8.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V，10.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：140nC@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.2mΩ@10V，18.6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：82mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@5V
连续漏极电流：8.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V，10.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@5V
连续漏极电流：8.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V，10.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@5V
连续漏极电流：8.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V，10.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：140nC@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.2mΩ@10V，18.6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@5V
连续漏极电流：8.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V，10.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：82mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：140nC@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.2mΩ@10V，18.6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.14W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：7.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：51mΩ@10V，12A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：82mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4243
工作温度：-55℃~+150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.55nF@20V
连续漏极电流：6.7A€14A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@6.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4243
工作温度：-55℃~+150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.55nF@20V
连续漏极电流：6.7A€14A
类型：1个P沟道
导通电阻：44mΩ@6.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：40V
功率：1.5W
连续漏极电流：8.7A
导通电阻：14mΩ@10V，10.5A
类型：1个P沟道
栅极电荷：55nC@5V
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：40V
功率：1.9W
连续漏极电流：11A
导通电阻：9.2mΩ@10V，18.6A
栅极电荷：140nC@10V
类型：1个P沟道
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：40V
功率：1.5W
连续漏极电流：8.7A
导通电阻：14mΩ@10V，10.5A
类型：1个P沟道
栅极电荷：55nC@5V
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
