采购热线 400-661-9010
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3402A
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3423
功率：900mW
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：92mΩ@10V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G70P04K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：156W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：4.714nF@20V
连续漏极电流：70A
类型：1个P沟道
反向传输电容：456pF@20V
导通电阻：7mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3423
功率：900mW
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：92mΩ@10V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3400L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3402A
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3402A
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3401
功率：1.2W
阈值电压：1.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM7002-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：260pC@4.5V
输入电容：14.4pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.27pF@25V
导通电阻：3.7Ω@10V，300mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS3407MC
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：77mΩ@4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LDN3408ET1G
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LDN3408ET1G
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G8N03
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：13nC@5V
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：50pF@15V
导通电阻：9mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP3443LT1G
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：4.7A
类型：1个P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP2307LT1G
功率：1.1W
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：4.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，4.7A
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP3443LT1G
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：4.7A
类型：1个P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3401
功率：1.2W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM7002-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：260pC@4.5V
输入电容：14.4pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：0.27pF@25V
导通电阻：3.7Ω@10V，300mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：海德
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HD3400
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TRR
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3400
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1.4V@250μA
输入电容：1.05nF@15V
连续漏极电流：5.8A
反向传输电容：77pF@15V
导通电阻：35mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AP30P30Q-ES
功率：30W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：46nC
输入电容：1.78nF
连续漏极电流：39A
类型：1个P沟道
反向传输电容：200pF
导通电阻：8mΩ@10V，12A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3400
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250μA
输入电容：545pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3400
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250μA
输入电容：545pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：海德
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HD3400
功率：350mW
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3400
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250μA
输入电容：545pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN4838
功率：21W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：18nC
输入电容：1.08nF
连续漏极电流：33A
类型：2个N沟道
反向传输电容：110pF
导通电阻：7.5mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G8N03
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：13nC@5V
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：50pF@15V
导通电阻：9mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G30N03D3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：825pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：40pF@15V
导通电阻：5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3400L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：18mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3401
功率：1.2W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
