品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS3423
功率:900mW
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:2A
类型:1个P沟道
导通电阻:92mΩ@10V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G70P04K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:156W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:4.714nF@20V
连续漏极电流:70A
类型:1个P沟道
反向传输电容:456pF@20V
导通电阻:7mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS3423
功率:900mW
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:2A
类型:1个P沟道
导通电阻:92mΩ@10V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS3401
功率:1.2W
阈值电压:1.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:55mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS3407MC
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:77mΩ@4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP3443LT1G
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:4.7A
类型:1个P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP2307LT1G
功率:1.1W
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:4.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:70mΩ@4.5V,4.7A
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP3443LT1G
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:4.7A
类型:1个P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS3401
功率:1.2W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:55mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AP30P30Q-ES
功率:30W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:46nC
输入电容:1.78nF
连续漏极电流:39A
类型:1个P沟道
反向传输电容:200pF
导通电阻:8mΩ@10V,12A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS3401
功率:1.2W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:55mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS3423
功率:900mW
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:2A
类型:1个P沟道
导通电阻:92mΩ@10V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS3401
功率:1.2W
阈值电压:1.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:55mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS3401
功率:1.2W
阈值电压:1.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:55mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS3423
功率:900mW
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:2A
类型:1个P沟道
导通电阻:92mΩ@10V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS3407MC
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:77mΩ@4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP2307LT1G
功率:1.1W
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:4.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:70mΩ@4.5V,4.7A
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS3401
功率:1.2W
阈值电压:1.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:55mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS3401
功率:1.2W
阈值电压:1.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:55mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP3443LT1G
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:4.7A
类型:1个P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS3401
功率:1.2W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:55mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS3407MC
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:77mΩ@4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS3401
功率:1.2W
阈值电压:1.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:55mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP3443LT1G
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:4.7A
类型:1个P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LP2307LT1G
功率:1.1W
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:4.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:70mΩ@4.5V,4.7A
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ESN7409
功率:30W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:46nC
输入电容:1.78nF
连续漏极电流:39A
类型:1个P沟道
反向传输电容:200pF
导通电阻:8mΩ@10V,12A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ESN7409
功率:30W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:46nC
输入电容:1.78nF
连续漏极电流:39A
类型:1个P沟道
反向传输电容:200pF
导通电阻:8mΩ@10V,12A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G70P04K
阈值电压:1.4V@250μA
功率:156W
漏源电压:40V
连续漏极电流:70A
输入电容:4.714nF@20V
导通电阻:7mΩ
栅极电荷:42nC@10V
反向传输电容:456pF@20V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS3407MC
阈值电压:1.4V@250μA
导通电阻:77mΩ@4.5V
功率:1.4W
漏源电压:30V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS3423
阈值电压:1.4V@250μA
导通电阻:92mΩ@10V,2A
漏源电压:20V
连续漏极电流:2A
类型:1个P沟道
功率:900mW
包装清单:商品主体 * 1
库存: