采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ11-NR4941
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6030ENZ4C13
工作温度：150℃
功率：305W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ11-NR4941
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ11-NR4941
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6030ENXC7G
工作温度：150℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6030ENXC7G
工作温度：150℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ11-NR4941
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6030ENXC7G
工作温度：150℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ11-NR4941
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ11-NR4941
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ11-NR4941
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ11-NR4941
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ11-NR4941
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5017BVRG
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5280pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@500mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6030ENXC7G
工作温度：150℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ11-NR4941
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6030ENXC7G
工作温度：150℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6030ENZ1C9
工作温度：150℃
功率：120W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6030ENZ4C13
工作温度：150℃
功率：305W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6030ENZ4C13
工作温度：150℃
功率：305W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6030ENXC7G
工作温度：150℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ11-NR4941
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6030ENZ1C9
工作温度：150℃
功率：120W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ11-NR4941
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6030ENZ1C9
工作温度：150℃
功率：120W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ11-NR4941
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6030ENXC7G
工作温度：150℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6030ENZ4C13
工作温度：150℃
功率：305W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6030ENZ4C13
工作温度：150℃
功率：305W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6030ENZ4C13
工作温度：150℃
功率：305W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
