品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":1000,"22+":10900}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-100PS,127
功率:269W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6686pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":4765,"MI+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDBA100N10BT4H
工作温度:175℃
功率:110W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@50A,15V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":30282,"MI+":6000}
包装规格(MPQ):486psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-100ESQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:散装
输入电容:5512pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS6P100BHTB1
功率:104W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
输入电容:2.88nF@50V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.9mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS6P100BHTB1
功率:104W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
输入电容:2.88nF@50V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.9mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":30282,"MI+":6000}
包装规格(MPQ):486psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-100ESQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:散装
输入电容:5512pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS6P100BHTB1
功率:104W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
输入电容:2.88nF@50V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.9mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:269W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6686pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1600,"21+":2911,"23+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7380pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS6P100BHTB1
功率:104W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
输入电容:2.88nF@50V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.9mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS6P100BHTB1
功率:104W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
输入电容:2.88nF@50V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.9mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":1000,"22+":10900}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-100PS,127
功率:269W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6686pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R6-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:141nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8061pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":4765,"MI+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDBA100N10BT4H
工作温度:175℃
功率:110W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@50A,15V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":4765,"MI+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDBA100N10BT4H
工作温度:175℃
功率:110W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@50A,15V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDBA100N10BT4H
工作温度:175℃
功率:110W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@50A,15V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDBA100N10BT4H
工作温度:175℃
功率:110W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@50A,15V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":495}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-100ES,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:269W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6686pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100E10N1,S1X
工作温度:150℃
功率:255W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8800pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS6P100BHTB1
功率:104W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
输入电容:2.88nF@50V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.9mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100E10N1,S1X(S
功率:255W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.4mΩ@10V,50A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS6P100BHTB1
功率:104W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
输入电容:2.88nF@50V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.9mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R6-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:141nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8061pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7380pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS6P100BHTB1
功率:104W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
输入电容:2.88nF@50V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.9mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":30282,"MI+":6000}
包装规格(MPQ):486psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-100ESQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:散装
输入电容:5512pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100E10N1,S1X(S
功率:255W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.4mΩ@10V,50A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7380pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1600,"21+":2911,"23+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7380pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":1000,"22+":10900}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-100PS,127
功率:269W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6686pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: