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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-100PS,127 起订243个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-100PS,127 起订243个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":1000,"22+":10900}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN7R0-100PS,127

    功率:269W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6686pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NDBA100N10BT4H 起订373个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDBA100N10BT4H 起订373个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":4765,"MI+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDBA100N10BT4H

    工作温度:175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@50A,15V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ 起订584个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ 起订584个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":30282,"MI+":6000}

    包装规格(MPQ):486psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R5-100ESQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:5512pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS6P100BHTB1 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS6P100BHTB1 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS6P100BHTB1

    功率:104W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:45nC@10V

    输入电容:2.88nF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@90A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS6P100BHTB1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS6P100BHTB1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS6P100BHTB1

    功率:104W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:45nC@10V

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    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@90A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":30282,"MI+":6000}

    包装规格(MPQ):486psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R5-100ESQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:5512pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 RS6P100BHTB1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS6P100BHTB1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS6P100BHTB1

    功率:104W

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    输入电容:2.88nF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@90A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-100BS,118 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-100BS,118 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN7R0-100BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:269W

    阈值电压:4V@1mA

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    类型:N沟道

    导通电阻:6.8mΩ@15A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1600,"21+":2911,"23+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7380pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS6P100BHTB1 起订30个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS6P100BHTB1 起订30个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS6P100BHTB1

    功率:104W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:45nC@10V

    输入电容:2.88nF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS6P100BHTB1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS6P100BHTB1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS6P100BHTB1

    功率:104W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:45nC@10V

    输入电容:2.88nF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@90A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-100PS,127 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-100PS,127 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":1000,"22+":10900}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN7R0-100PS,127

    功率:269W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6686pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R6-100BS,118 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R6-100BS,118 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R6-100BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:141nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8061pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDBA100N10BT4H 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDBA100N10BT4H 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":4765,"MI+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDBA100N10BT4H

    工作温度:175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@50A,15V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDBA100N10BT4H 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDBA100N10BT4H 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":4765,"MI+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDBA100N10BT4H

    工作温度:175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@50A,15V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDBA100N10BT4H 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDBA100N10BT4H 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDBA100N10BT4H

    工作温度:175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@50A,15V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDBA100N10BT4H 起订373个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDBA100N10BT4H 起订373个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDBA100N10BT4H

    工作温度:175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@50A,15V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-100ES,127 起订361个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-100ES,127 起订361个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":495}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN7R0-100ES,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:269W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6686pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK100E10N1,S1X 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK100E10N1,S1X 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK100E10N1,S1X

    工作温度:150℃

    功率:255W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8800pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS6P100BHTB1 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS6P100BHTB1 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS6P100BHTB1

    功率:104W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:45nC@10V

    输入电容:2.88nF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@90A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK100E10N1,S1X(S 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK100E10N1,S1X(S 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK100E10N1,S1X(S

    功率:255W

    阈值电压:4V@1mA

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@10V,50A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS6P100BHTB1 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS6P100BHTB1 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS6P100BHTB1

    功率:104W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:45nC@10V

    输入电容:2.88nF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@90A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R6-100BS,118 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R6-100BS,118 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R6-100BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:141nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8061pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订1600个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订1600个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7380pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS6P100BHTB1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS6P100BHTB1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS6P100BHTB1

    功率:104W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:45nC@10V

    输入电容:2.88nF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.9mΩ@90A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":30282,"MI+":6000}

    包装规格(MPQ):486psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R5-100ESQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:5512pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK100E10N1,S1X(S 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK100E10N1,S1X(S 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK100E10N1,S1X(S

    功率:255W

    阈值电压:4V@1mA

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@10V,50A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7380pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1600,"21+":2911,"23+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7380pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-100PS,127 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-100PS,127 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":1000,"22+":10900}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN7R0-100PS,127

    功率:269W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6686pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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