采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP89，115
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：375mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@340mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RDD023N50TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.4Ω@1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RDD023N50TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.4Ω@1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN123
工作温度：150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN123
工作温度：150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP89，115
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：375mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@340mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP89，115
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：375mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@340mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP89，115
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：375mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@340mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K407TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K407TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST82，235
工作温度：150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP89，115
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：375mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@340mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN123
工作温度：150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K357R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@12V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K357R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@12V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615TU，LF
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K357R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@12V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@150mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST82，235
工作温度：150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RDD023N50TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.4Ω@1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP89，115
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：375mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@340mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
