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    行业应用
    阈值电压
    2.6V@1mA 2.4V@1mA 4.5V@4mA 800mV@1mA 1V@1mA 4V@1mA 2.5V@1mA 1.2V@1mA 2.8V@1mA 2.3V@1mA 3V@1mA 3.5V@1.5mA 3.7V@1.5mA 750mV@1mA 2V@1mA 1.3V@1mA 4.5V@1.2mA 5V@1mA 1.5V@1mA 5.25V@1mA 1.7V@1mA 4.5V@1mA 4V@1.69mA 3.5V@1.2mA 4.5V@1.5mA 4.5V@1.9mA 1.5V@11mA 5.5V@1mA 3.7V@1mA 1.5V@2mA 1.4V@1mA 4.4V@1mA 4V@1.02mA 7V@3mA 4.5V@2.1mA 4.5V@1.1mA 4V@1.27mA 7V@5.5mA 3.5V@2.5mA 4V@2.85mA 5V@1.72mA 3.5V@1.6mA 4.5V@1.6mA 3.5V@2.1mA 1.4V@1.11mA 3.5V@1.9mA 6.5V@1.5mA 2.7V@1mA 2V@10µA 3.5V@170µA 3V@250µA 5V@100µA 2.7V@250µA 1V@250µA 2.4V@100µA 4V@100µA 1.9V@250µA 1V@50µA 1.1V@250µA 4V@280µA 2V@250µA 4V@250µA 4.5V@50µA 1.6V@250µA 4V@240µA 1.25V@250µA 2.5V@50µA 3.5V@250µA 5V@250µA 2.5V@200µA 900mV@250µA 2.1V@100µA 800mV@250µA 3.7V@400µA 1.5V@100µA 2.5V@25µA 4.5V@400µA 1V@100µA 4.5V@250µA 2.5V@100µA 2.5V@250µA 4V@190µA 2.5V@500µA 1.1V@100µA 4.5V@100µA 3.7V@1.9mA 4.75V@250µA 2.1V@250µA 4V@900µA 1.8V@250µA 2.3V@500µA 3.5V@180µA 4V@700µA 3.7V@600µA 6.5V@1.9mA 3.5V@690µA 2.5V@350µA 4V@610µA 2.6V@100µA 2.5V@650µA 2.3V@300µA 4V@850µA 4V@300µA 4.5V@500µA 4V@450µA 4V@200µA 4V@500µA 1.5V@1µA 4V@360µA 3.7V@350µA 2.3V@100µA 3.7V@500µA 4.5V@230µA 4V@250mA 1.8V@100µA 3.7V@790µA 3.7V@3.1mA 600mV@250µA 3.5V@900µA 4V@1.16mA 4V@770µA 4.5V@690µA 4V@230µA 3.5V@300µA 3.7V@270µA 2.7V@300µA 4V@600µA 2.7V@200µA 2.7V@50µA 5V@630µA 4V@630µA 7V@800µA 5V@960µA 2.3V@200µA 3.7V@310µA 5V@230µA 3.5V@450µA 3V@519µA 3V@5.85mA 3V@2.56mA 4V@430µA 4.5V@350µA 4V@400µA 1.3V@100µA
    栅极电荷
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    工作温度: 150℃
    类型: N沟道
    当前匹配商品:1.3万+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPCA8026(TE12L,Q,M 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPCA8026(TE12L,Q,M 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPCA8026(TE12L,Q,M

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€45W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4200pF@10V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@23A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 2N7002 起订157个装
    UMW Mosfet场效应管 2N7002 起订157个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002

    工作温度:150℃

    功率:225mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RK7002AT116 起订52个装
    ROHM Mosfet场效应管 RK7002AT116 起订52个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RK7002AT116

    工作温度:150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0855DPB-00#J5 起订2个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0855DPB-00#J5 起订2个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0855DPB-00#J5

    工作温度:150℃

    功率:60W

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@10V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN11006NL,LQ 起订4个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN11006NL,LQ 起订4个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN11006NL,LQ

    工作温度:150℃

    功率:700mW€30W

    阈值电压:2.5V@200µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@30V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.4mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ

    工作温度:150℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@610µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@300V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ 起订2500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ 起订2500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ

    工作温度:150℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@610µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@300V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RK7002BMT116 起订3000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RK7002BMT116 起订3000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RK7002BMT116

    工作温度:150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.3V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@250mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN11003NL,LQ 起订5个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN11003NL,LQ 起订5个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN11003NL,LQ

    工作温度:150℃

    功率:700mW€19W

    阈值电压:2.3V@100µA

    栅极电荷:7.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW36NM60ND 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW36NM60ND 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW36NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:80.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2785pF@50V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SANKEN Mosfet场效应管 GKI07113 起订2个装
    SANKEN Mosfet场效应管 GKI07113 起订2个装

    品牌:SANKEN

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GKI07113

    工作温度:150℃

    功率:3.1W€77W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4040pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@27.2A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK65E10N1,S1X 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK65E10N1,S1X 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X

    工作温度:150℃

    功率:192W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5400pF@50V

    连续漏极电流:148A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@32.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUS100N02TB 起订7个装
    ROHM Mosfet场效应管 RUS100N02TB 起订7个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUS100N02TB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K504NU,LF 起订3000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K504NU,LF 起订3000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K504NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:19.5mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10J80E,S1E 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10J80E,S1E 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK10J80E,S1E

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH6400ENH,L1Q 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH6400ENH,L1Q 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH6400ENH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€57W

    阈值电压:4V@300µA

    栅极电荷:11.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RCX700N20 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 RCX700N20 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RCX700N20

    工作温度:150℃

    功率:2.23W€40W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:6900pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:42.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G300GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P03BBHTL1 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P03BBHTL1 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P03BBHTL1

    工作温度:150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@50V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@35A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订18个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订18个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E100BNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSF014N03TL 起订3000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSF014N03TL 起订3000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSF014N03TL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:70pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD8N60DM2 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STD8N60DM2 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD8N60DM2

    工作温度:150℃

    功率:85W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:13.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTF016N05TL 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTF016N05TL 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTF016N05TL

    工作温度:150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUC002N05HZGT116 起订3000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RUC002N05HZGT116 起订3000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUC002N05HZGT116

    工作温度:150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP57N65M5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP57N65M5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP57N65M5

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4200pF@100V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@21A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10P60W,RVQ 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10P60W,RVQ 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK10P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:80W

    阈值电压:3.7V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:430mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7E80W,S1X 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7E80W,S1X 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7E80W,S1X

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@280µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@300V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 BSS138WT106 起订25个装
    ROHM Mosfet场效应管 BSS138WT106 起订25个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138WT106

    工作温度:150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.3V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15pF@30V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@310mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RMW200N03TB 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RMW200N03TB 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RMW200N03TB

    工作温度:150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6443-TL-W 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6443-TL-W 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CPH6443-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@20V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@3A,10V

    漏源电压:35V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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