品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB12NM50ND
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7P50D(T6RSS-Q)
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.22Ω@3.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":17001}
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5013DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:30W
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:465mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZDX050N50
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:散装
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW26NM50
工作温度:150℃
功率:313W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP28NM50N
工作温度:150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1735pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:158mΩ@10.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB28NM50N
工作温度:150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1735pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:158mΩ@10.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW26NM50
工作温度:150℃
功率:313W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STY60NM50
工作温度:150℃
功率:560W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:266nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7500pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@30A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB23NM50N
工作温度:150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP28NM50N
工作温度:150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1735pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:158mΩ@10.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8NM50N
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:364pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RDD023N50TL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5.4Ω@1A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":4000,"19+":8236}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK5014DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8NM50N
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:364pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD8NM50N
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:364pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NM50FD
工作温度:150℃
功率:214W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1380pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RDD023N50TL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5.4Ω@1A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NK50Z
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":100}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4221
工作温度:150℃
功率:2.5W€220W
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:托盘
输入电容:2250pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R5007ANX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:散装
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.05Ω@3.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R5007FNX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:散装
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@3.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STW19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW20NK50Z
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:119nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@8.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STE53NC50
工作温度:150℃
功率:460W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:434nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11200pF@25V
连续漏极电流:53A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@27A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP28NM50N
工作温度:150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1735pF@25V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:158mΩ@10.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: