采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"01+"：2856，"13+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP203-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@10V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@38A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：721}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3707-1E
工作温度：150℃
功率：2W€25W
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G260MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2988pF@20V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@26A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G260MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2988pF@20V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@26A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：721}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3707-1E
工作温度：150℃
功率：2W€25W
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G260MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
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栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2988pF@20V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@26A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G260MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2988pF@20V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@26A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP203-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@10V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@38A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP203-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@10V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@38A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3707-1E
工作温度：150℃
功率：2W€25W
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G260MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2988pF@20V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@26A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G260MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2988pF@20V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@26A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"01+"：2856，"13+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP203-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@10V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@38A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G260MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
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输入电容：2988pF@20V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
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漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G260MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：44nC@10V
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输入电容：2988pF@20V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@26A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"01+"：2856，"13+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP203-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@10V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@38A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G260MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2988pF@20V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@26A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G260MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：44nC@10V
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输入电容：2988pF@20V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
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漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G260MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
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输入电容：2988pF@20V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G260MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
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栅极电荷：44nC@10V
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输入电容：2988pF@20V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G260MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
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栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2988pF@20V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@26A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G260MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
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栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2988pF@20V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@26A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G260MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2988pF@20V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@26A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G260MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2988pF@20V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@26A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP203-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@10V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@38A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：721}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3707-1E
连续漏极电流：20A
栅极电荷：44nC@10V
导通电阻：60mΩ@10A，10V
功率：2W€25W
工作温度：150℃
类型：N沟道
输入电容：2150pF@20V
包装方式：管件
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G260MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2988pF@20V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@26A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G260MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2988pF@20V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@26A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"01+"：2856，"13+"：6000}
规格型号(MPN)：ATP203-TL-H
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
导通电阻：8.2mΩ@38A，10V
输入电容：2750pF@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：75A
功率：50W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G260MNTB
功率：3W€35W
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
漏源电压：40V
类型：N沟道
输入电容：2988pF@20V
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：3.3mΩ@26A，10V
连续漏极电流：26A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
