采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5014SLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3261pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@17.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT24F50B
工作温度：-55℃~150℃
功率：335W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3630pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K80TB1
功率：2W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.5pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：2个N沟道
导通电阻：11.7Ω@250mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K80TB1
功率：2W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.5pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：2个N沟道
导通电阻：11.7Ω@250mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K80TB1
功率：2W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.5pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：2个N沟道
导通电阻：11.7Ω@250mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K80TB1
功率：2W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.5pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：2个N沟道
导通电阻：11.7Ω@250mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K80TB1
功率：2W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.5pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：2个N沟道
导通电阻：11.7Ω@250mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K80TB1
功率：2W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.5pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：2个N沟道
导通电阻：11.7Ω@250mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FMM22-05PF
工作温度：-55℃~150℃
功率：132W
阈值电压：5V@1mA
包装方式：管件
输入电容：2630pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：270mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K80TB1
功率：2W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.5pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：2个N沟道
导通电阻：11.7Ω@250mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：R5016FNX
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：325mΩ@8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT42F50B
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6810pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@21A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT37F50B
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5710pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@18A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K80TB1
功率：2W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.5pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：2个N沟道
导通电阻：11.7Ω@250mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K80TB1
功率：2W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.5pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：2个N沟道
导通电阻：11.7Ω@250mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K80TB1
功率：2W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.5pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：2个N沟道
导通电阻：11.7Ω@250mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K80TB1
功率：2W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.5pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：2个N沟道
导通电阻：11.7Ω@250mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K80TB1
功率：2W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.5pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：2个N沟道
导通电阻：11.7Ω@250mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FMM22-05PF
工作温度：-55℃~150℃
功率：132W
阈值电压：5V@1mA
包装方式：管件
输入电容：2630pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：270mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5014SLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3261pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@17.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K80TB1
功率：2W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.5pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：2个N沟道
导通电阻：11.7Ω@250mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K80TB1
功率：2W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.5pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：2个N沟道
导通电阻：11.7Ω@250mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5014SLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3261pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@17.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FMM22-05PF
工作温度：-55℃~150℃
功率：132W
阈值电压：5V@1mA
包装方式：管件
输入电容：2630pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：270mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT24F50B
工作温度：-55℃~150℃
功率：335W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3630pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APTM50H14FT3G
工作温度：-40℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
包装方式：散装
输入电容：3259pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：168mΩ@13A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：1psc
规格型号(MPN)：APTM50H14FT3G
漏源电压：500V
输入电容：3259pF@25V
类型：4N沟道（全桥）
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
工作温度：-40℃~150℃
包装方式：散装
导通电阻：168mΩ@13A，10V
连续漏极电流：26A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FMM22-05PF
功率：132W
连续漏极电流：13A
漏源电压：500V
包装方式：管件
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@1mA
输入电容：2630pF@25V
类型：2N沟道（双）
导通电阻：270mΩ@11A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FMM22-05PF
功率：132W
连续漏极电流：13A
漏源电压：500V
包装方式：管件
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@1mA
输入电容：2630pF@25V
类型：2N沟道（双）
导通电阻：270mΩ@11A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：R5016FNX
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：325mΩ@8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
