销售单位:个
规格型号(MPN):R5016FNX
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:325mΩ@8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APTM50H14FT3G
工作温度:-40℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:3259pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:168mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):1psc
规格型号(MPN):APTM50H14FT3G
漏源电压:500V
输入电容:3259pF@25V
类型:4N沟道(全桥)
功率:208W
阈值电压:5V@1mA
工作温度:-40℃~150℃
包装方式:散装
导通电阻:168mΩ@13A,10V
连续漏极电流:26A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):R5016FNX
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:325mΩ@8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R5016FNX
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:325mΩ@8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R5016FNX
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:325mΩ@8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):R5016FNX
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:325mΩ@8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APTM50H14FT3G
工作温度:-40℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@1mA
包装方式:散装
输入电容:3259pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:168mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: