首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    强茂 Mosfet场效应管 PJA138K_R1_00001 起订18个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA138K_R1_00001 起订18个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN327N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:423pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@4.5V,2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 BSS138_R1_00001 起订68个装
    强茂 Mosfet场效应管 BSS138_R1_00001 起订68个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138_R1_00001

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@10V,500mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040UVT-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040UVT-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040UVT-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:667pF@10V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS3400 起订65个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS3400 起订65个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS3400

    功率:1.2W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    输入电容:535pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:36pF@15V

    导通电阻:27mΩ@10V,5.6A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040UVT-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040UVT-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040UVT-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:667pF@10V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA430NZ 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA430NZ 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA430NZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN327N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:423pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@4.5V,2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA430NZ 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA430NZ 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA430NZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN327N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:423pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@4.5V,2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA430NZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA430NZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA430NZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订6000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订6000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN327N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:423pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@4.5V,2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKW,115 起订数1000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3020NAKW,115 起订数1000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:260mW€1.1W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:440pC@4.5V

    输入电容:13pF@10V

    连续漏极电流:180mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.5Ω@10V,100mA

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订20个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订20个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN327N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:423pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@4.5V,2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA430NZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA430NZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA430NZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA430NZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA430NZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA430NZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 BSS138_R1_00001 起订86个装
    强茂 Mosfet场效应管 BSS138_R1_00001 起订86个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138_R1_00001

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3Ω@10V,500mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订8个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订8个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN327N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:423pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@4.5V,2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA430NZ 起订6000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA430NZ 起订6000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA430NZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA138K_R1_00001 起订25个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA138K_R1_00001 起订25个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA430NZ 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA430NZ 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA430NZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA430NZ 起订12000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA430NZ 起订12000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA430NZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS80DN-T1-GE3 起订数15个
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS80DN-T1-GE3 起订数15个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS80DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:65W€5W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:122nC@10V

    输入电容:6.45nF@10V

    连续漏极电流:58.3A€210A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.92mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订15000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订15000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN327N

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:423pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@4.5V,2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA138K_R1_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA138K_R1_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订数25个
    onsemi Mosfet场效应管 FDN327N 起订数25个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    输入电容:423pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@4.5V,2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA430NZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA430NZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA430NZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3418L-7 起订数100个
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3418L-7 起订数100个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    输入电容:464.3pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@10V,4A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJC138K_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJC138K_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC138K_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:236mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:360mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA430NZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA430NZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA430NZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧