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    品牌: VISHAY
    阈值电压: 1.5V@250μA
    类型: 1个N沟道
    当前匹配商品:10+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS80DN-T1-GE3 起订数15个
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS80DN-T1-GE3 起订数15个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS80DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:65W€5W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:122nC@10V

    输入电容:6.45nF@10V

    连续漏极电流:58.3A€210A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.92mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS80DN-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS80DN-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS80DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:65W€5W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:122nC@10V

    输入电容:6.45nF@10V

    连续漏极电流:58.3A€210A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.92mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS80DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS80DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS80DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:65W€5W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:122nC@10V

    输入电容:6.45nF@10V

    连续漏极电流:58.3A€210A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.92mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7112DN-T1-GE3 起订数6000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7112DN-T1-GE3 起订数6000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-50℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:27nC@4.5V

    输入电容:2.61nF@15V

    连续漏极电流:11.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:400mW€500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:4.1nC@10V

    输入电容:105pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:132mΩ@10V,1.4A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:370pF@20V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:51mΩ@10V,3.2A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:370pF@20V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:51mΩ@10V,3.2A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:370pF@20V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:51mΩ@10V,3.2A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:400mW€500mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:4.1nC@10V

    输入电容:105pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:132mΩ@10V,1.4A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    栅极电荷:13nC@10V

    阈值电压:1.5V@250μA

    导通电阻:51mΩ@10V,3.2A

    输入电容:370pF@20V

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:4.3A

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    漏源电压:40V

    功率:960mW€1.7W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7112DN-T1-GE3 起订数6000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7112DN-T1-GE3 起订数6000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    连续漏极电流:11.3A

    阈值电压:1.5V@250μA

    漏源电压:30V

    类型:1个N沟道

    功率:1.5W

    工作温度:-50℃~+150℃

    栅极电荷:27nC@4.5V

    输入电容:2.61nF@15V

    导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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