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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA00EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD2816 起订7个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD2816 起订7个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD2816

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€53.5W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1109pF@40V

    连续漏极电流:8.5A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ100E-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ100E-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ100E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14780pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCU60P06-TP 起订1个装
    MCC Mosfet场效应管 MCU60P06-TP 起订1个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCU60P06-TP

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:130W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5814pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C426NT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C426NT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C426NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€128W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@25V

    连续漏极电流:41A€235A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB00EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB00EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB00EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ872EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ872EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ872EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1045pF@25V

    连续漏极电流:24.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:35.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40014EM_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40014EM_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM40014EM_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15525pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ146EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ146EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ146EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C456NT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C456NT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C456NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@25V

    连续漏极电流:20A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT700P08D3 起订8个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT700P08D3 起订8个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT700P08D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1591pF@40V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C462NT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C462NT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C462NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€50W

    阈值电压:3.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@25V

    连续漏极电流:17.6A€70A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA06EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA06EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA06EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@25V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT299N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT299N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1948pF@380V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10950E_GE3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10950E_GE3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD10950E_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@25V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:162mΩ@12A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C410NT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C410NT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C410NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€166W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:46A€300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.92mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ142E-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ142E-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ142E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6975pF@25V

    连续漏极电流:460A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.24mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR872DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR872DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2130pF@75V

    连续漏极电流:53.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS140ENW-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS140ENW-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS140ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:197W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3111pF@25V

    连续漏极电流:214A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.53mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ470DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ470DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ470DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€56.8W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@50V

    连续漏极电流:58.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB70EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB70EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB70EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@25V

    连续漏极电流:11.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:95mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ126EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ126EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ126EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:152nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8095pF@25V

    连续漏极电流:500A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.94mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LPS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LPS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€46W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:7.3A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ456EP-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ456EP-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ456EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3342pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1170pF@50V

    连续漏极电流:36.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ872EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ872EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ872EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1045pF@25V

    连续漏极电流:24.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:35.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LFG-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LFG-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€35W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10950E_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10950E_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD10950E_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@25V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:162mΩ@12A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7252DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:3.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1170pF@50V

    连续漏极电流:36.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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