采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF18N20FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF18N20FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF18N20FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF18N20FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP4N100P
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1456pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@2A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP4N100P
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1456pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@2A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF18N20FT-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB17N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：866pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF18N20FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：603}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF18N20FT-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB17N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：866pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@7A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF18N20FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF18N20FT-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF18N20FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：41W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD18N20V2TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
