品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P35AFE,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35CTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35CTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P35AFU,LF
工作温度:150℃
功率:285mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K35CTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35CTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K35AFS,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K35AFS,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K35AMFV,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@100µA
栅极电荷:0.34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35CTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P35AFE,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P35AFU,LF
工作温度:150℃
功率:285mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35CTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K35CTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P35AFE,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K35AFS,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35CTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35CTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K35AMFV,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K35CTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K35CTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@100µA
栅极电荷:0.34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P35AFE,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P35AFE,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K35AMFV,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@100µA
栅极电荷:0.34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K35AMFV,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@100µA
栅极电荷:0.34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K35AMFV,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@100µA
栅极电荷:0.34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K35AMFV,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@100µA
栅极电荷:0.34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K35AMFV,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35CTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35CTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:42pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: