品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SQM40031EL_GE3
栅极电荷:800nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
功率:375W
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
输入电容:39000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB40EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:34W
导通电阻:8mΩ@8A,10V
输入电容:1900pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:30A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:62W
漏源电压:40V
输入电容:1855pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:9mΩ@16.4A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:130nC@10V
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:55A
功率:68W
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
输入电容:4500pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB40EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:34W
导通电阻:8mΩ@8A,10V
输入电容:1900pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:30A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SQM40061EL_GE3
输入电容:14500pF@25V
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:5.1mΩ@30A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
类型:P沟道
连续漏极电流:100A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447ADY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:970pF@20V
导通电阻:45mΩ@5A,10V
栅极电荷:38nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
功率:4.2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ504EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:34W
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:30A
输入电容:1900pF@25V€4600pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ504EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:34W
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
输入电容:1900pF@25V€4600pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2318CDS-T1-GE3
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.3A,10V
功率:1.25W€2.1W
连续漏极电流:5.6A
输入电容:340pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4401EY-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@20V
连续漏极电流:17.3A
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:115nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:14mΩ@10.5A,10V
类型:P沟道
功率:7.14W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4122DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
连续漏极电流:27.2A
输入电容:4200pF@20V
栅极电荷:95nC@10V
功率:3W€6W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ420EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:10mΩ@9.7A,10V
输入电容:1860pF@25V
连续漏极电流:30A
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4184EY-T1_GE3
输入电容:5400pF@20V
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:29A
导通电阻:4.6mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
功率:68W
导通电阻:7mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
输入电容:11000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2318CDS-T1-GE3
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.3A,10V
功率:1.25W€2.1W
连续漏极电流:5.6A
输入电容:340pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:31nC@10V
功率:4.8W€41.7W
连续漏极电流:30A
输入电容:1160pF@20V
导通电阻:10.5mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM40010EL-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:230nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.6mΩ@30A,10V
功率:375W
输入电容:11155pF@30V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40151EL-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:42A
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
功率:50W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:12mΩ@17.5A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:112nC@10V
输入电容:5340pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ420EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:10mΩ@9.7A,10V
输入电容:1860pF@25V
连续漏极电流:30A
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB40EP-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:34W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:8mΩ@8A,10V
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SQM120P04-04L_GE3
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻:4mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:13980pF@20V
类型:P沟道
功率:375W
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SQM120N04-1M7L_GE3
栅极电荷:285nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14606pF@20V
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.7mΩ@30A,10V
功率:375W
连续漏极电流:120A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ886EP-T1_GE3
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15.3A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:60A
功率:55W
输入电容:2922pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4288DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
导通电阻:20mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:9.2A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447ADY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:970pF@20V
导通电阻:45mΩ@5A,10V
栅极电荷:38nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
功率:4.2W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4284EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
功率:3.9W
漏源电压:40V
输入电容:2200pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13.5mΩ@7A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3418EV-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
栅极电荷:12.7nC@10V
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:8A
输入电容:678pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ946EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:33mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
连续漏极电流:15A
ECCN:EAR99
输入电容:600pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:31nC@10V
功率:4.8W€41.7W
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
输入电容:1160pF@20V
导通电阻:10.5mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: