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    品牌: VISHAY
    阈值电压: 2.5V@250µA
    行业应用: 工业
    漏源电压: 40V
    当前匹配商品:1500+
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40031EL_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40031EL_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):SQM40031EL_GE3

    栅极电荷:800nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    导通电阻:3mΩ@30A,10V

    功率:375W

    连续漏极电流:120A

    ECCN:EAR99

    输入电容:39000pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB40EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB40EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB40EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:34W

    导通电阻:8mΩ@8A,10V

    输入电容:1900pF@25V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:30A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:62W

    漏源电压:40V

    输入电容:1855pF@25V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:130nC@10V

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    连续漏极电流:55A

    功率:68W

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    输入电容:4500pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB40EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB40EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB40EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:34W

    导通电阻:8mΩ@8A,10V

    输入电容:1900pF@25V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:30A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40061EL_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40061EL_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):SQM40061EL_GE3

    输入电容:14500pF@25V

    栅极电荷:280nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    导通电阻:5.1mΩ@30A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    类型:P沟道

    连续漏极电流:100A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4447ADY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    输入电容:970pF@20V

    导通电阻:45mΩ@5A,10V

    栅极电荷:38nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    连续漏极电流:7.2A

    类型:P沟道

    功率:4.2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ504EP-T1_BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ504EP-T1_BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ504EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:N和P沟道

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:34W

    阈值电压:2.5V@250µA

    连续漏极电流:30A

    输入电容:1900pF@25V€4600pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ504EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ504EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ504EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:N和P沟道

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:34W

    阈值电压:2.5V@250µA

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    输入电容:1900pF@25V€4600pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318CDS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318CDS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2318CDS-T1-GE3

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@4.3A,10V

    功率:1.25W€2.1W

    连续漏极电流:5.6A

    输入电容:340pF@20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4401EY-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4401EY-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4401EY-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4250pF@20V

    连续漏极电流:17.3A

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:115nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:14mΩ@10.5A,10V

    类型:P沟道

    功率:7.14W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4122DY-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4122DY-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4122DY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@15A,10V

    连续漏极电流:27.2A

    输入电容:4200pF@20V

    栅极电荷:95nC@10V

    功率:3W€6W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ420EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ420EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ420EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:45W

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:10mΩ@9.7A,10V

    输入电容:1860pF@25V

    连续漏极电流:30A

    栅极电荷:41nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4184EY-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4184EY-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4184EY-T1_GE3

    输入电容:5400pF@20V

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:29A

    导通电阻:4.6mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.1W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ409EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ409EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ409EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    功率:68W

    导通电阻:7mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    连续漏极电流:60A

    ECCN:EAR99

    输入电容:11000pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318CDS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318CDS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2318CDS-T1-GE3

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@4.3A,10V

    功率:1.25W€2.1W

    连续漏极电流:5.6A

    输入电容:340pF@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR426DP-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR426DP-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:31nC@10V

    功率:4.8W€41.7W

    连续漏极电流:30A

    输入电容:1160pF@20V

    导通电阻:10.5mΩ@15A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40010EL-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40010EL-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):SUM40010EL-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:230nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:1.6mΩ@30A,10V

    功率:375W

    输入电容:11155pF@30V

    连续漏极电流:120A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40151EL-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40151EL-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD40151EL-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:42A

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    功率:50W

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:12mΩ@17.5A,10V

    类型:P沟道

    栅极电荷:112nC@10V

    输入电容:5340pF@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ420EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ420EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ420EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:45W

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:10mΩ@9.7A,10V

    输入电容:1860pF@25V

    连续漏极电流:30A

    栅极电荷:41nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB40EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB40EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB40EP-T1_BE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:34W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:8mΩ@8A,10V

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120P04-04L_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120P04-04L_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):SQM120P04-04L_GE3

    栅极电荷:330nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:13980pF@20V

    类型:P沟道

    功率:375W

    连续漏极电流:120A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120N04-1M7L_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120N04-1M7L_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):SQM120N04-1M7L_GE3

    栅极电荷:285nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14606pF@20V

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:1.7mΩ@30A,10V

    功率:375W

    连续漏极电流:120A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ886EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ886EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ886EP-T1_GE3

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@15.3A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:60A

    功率:55W

    输入电容:2922pF@20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4288DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4288DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4288DY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@20V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:9.2A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4447ADY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    输入电容:970pF@20V

    导通电阻:45mΩ@5A,10V

    栅极电荷:38nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    连续漏极电流:7.2A

    类型:P沟道

    功率:4.2W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4284EY-T1_GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4284EY-T1_GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4284EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:卷带(TR)

    功率:3.9W

    漏源电压:40V

    输入电容:2200pF@25V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:13.5mΩ@7A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418EV-T1_BE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418EV-T1_BE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3418EV-T1_BE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    栅极电荷:12.7nC@10V

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@5A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:8A

    输入电容:678pF@20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ946EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ946EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ946EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:33mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    连续漏极电流:15A

    ECCN:EAR99

    输入电容:600pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR426DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR426DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:31nC@10V

    功率:4.8W€41.7W

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    输入电容:1160pF@20V

    导通电阻:10.5mΩ@15A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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