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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR836DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€15.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
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漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150NB04LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：966pF@20V
连续漏极电流：10A€41A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
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输入电容：966pF@20V
连续漏极电流：10A€41A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
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漏源电压：40V
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连续漏极电流：10A€41A
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导通电阻：19mΩ@10A，10V
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