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    ST Mosfet场效应管 STD26P3LLH6 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD26P3LLH6 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD26P3LLH6

    工作温度:175℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL42P4LLF6 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STL42P4LLF6 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL42P4LLF6

    工作温度:175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD85N3LH5 起订27个装
    ST Mosfet场效应管 STD85N3LH5 起订27个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD85N3LH5

    工作温度:175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP40NF10L 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STP40NF10L 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP40NF10L

    工作温度:175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:64nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:2300pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD96N3LLH6 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD96N3LLH6 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD96N3LLH6

    工作温度:175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL42P4LLF6 起订3000个装
    ST Mosfet场效应管 STL42P4LLF6 起订3000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL42P4LLF6

    工作温度:175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP15P06SLG-E1-AY 起订10个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP15P06SLG-E1-AY 起订10个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP15P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€30W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL42P6LLF6 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STL42P6LLF6 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL42P6LLF6

    工作温度:175℃

    功率:100W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3780pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD36P4LLF6 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD36P4LLF6 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD36P4LLF6

    工作温度:175℃

    功率:60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:20.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP75N04VDK-E1-AY 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP75N04VDK-E1-AY 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP75N04VDK-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@38A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL42P6LLF6 起订3000个装
    ST Mosfet场效应管 STL42P6LLF6 起订3000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL42P6LLF6

    工作温度:175℃

    功率:100W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3780pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP75N04VDK-E1-AY 起订10个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP75N04VDK-E1-AY 起订10个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP75N04VDK-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@38A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD35P6LLF6 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD35P6LLF6 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD35P6LLF6

    工作温度:175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3780pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP50P06SDG-E1-AY 起订1个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP50P06SDG-E1-AY 起订1个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP50P06SDG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€84W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P06SLG-E1-AY 起订100个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P06SLG-E1-AY 起订100个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP20P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP45N06VDK-E1-AY 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP45N06VDK-E1-AY 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP45N06VDK-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@25V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.6mΩ@23A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD35P6LLF6 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STD35P6LLF6 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD35P6LLF6

    工作温度:175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3780pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM042N03CS RLG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM042N03CS RLG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM042N03CS RLG

    工作温度:175℃

    功率:7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP40NF10L 起订250个装
    ST Mosfet场效应管 STP40NF10L 起订250个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP40NF10L

    工作温度:175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:64nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:2300pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD36P4LLF6 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD36P4LLF6 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD36P4LLF6

    工作温度:175℃

    功率:60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:20.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P06SLG-E1-AY 起订10个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P06SLG-E1-AY 起订10个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP20P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P06SLG-E1-AY 起订10个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P06SLG-E1-AY 起订10个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP20P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP40NF10L 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STP40NF10L 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP40NF10L

    工作温度:175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:64nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:2300pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N06MLG-S18-AY 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N06MLG-S18-AY 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":22200}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N06MLG-S18-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€115W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:128nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:6900pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@40A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP35N04YLG-E1-AY 起订100个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP35N04YLG-E1-AY 起订100个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP35N04YLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1W€77W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD35P6LLF6 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD35P6LLF6 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD35P6LLF6

    工作温度:175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3780pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N06VDK-E1-AY 起订10个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N06VDK-E1-AY 起订10个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP90N06VDK-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€147W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD86N3LH5 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STD86N3LH5 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD86N3LH5

    工作温度:175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N06MLG-S18-AY 起订300个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N06MLG-S18-AY 起订300个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":22200}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N06MLG-S18-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€115W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:128nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:6900pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@40A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD150N3LLH6 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD150N3LLH6 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD150N3LLH6

    工作温度:175℃

    功率:110W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3700pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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