品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26P3LLH6
工作温度:175℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL42P4LLF6
工作温度:175℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD85N3LH5
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD96N3LLH6
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL42P4LLF6
工作温度:175℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP15P06SLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€30W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL42P6LLF6
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD36P4LLF6
工作温度:175℃
功率:60W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:20.5mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP75N04VDK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@38A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL42P6LLF6
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP75N04VDK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@38A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35P6LLF6
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP50P06SDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€84W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:16.5mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP20P06SLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€38W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP45N06VDK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@23A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35P6LLF6
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM042N03CS RLG
工作温度:175℃
功率:7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD36P4LLF6
工作温度:175℃
功率:60W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:20.5mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP20P06SLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€38W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP20P06SLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€38W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP35N04YLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1W€77W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35P6LLF6
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N06VDK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€147W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD86N3LH5
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD150N3LLH6
工作温度:175℃
功率:110W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N04VDK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€147W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5850pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@45A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP75P04YLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1W€138W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:P沟道
导通电阻:9.7mΩ@37.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP20P06SLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€38W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N06VDK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€147W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N06VDK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€147W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: