采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4410EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2385pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3410EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1005pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D72-30EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：3.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@15V
连续漏极电流：4A€11A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8882
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@15V
连续漏极电流：12.6A€55A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：2900，"13+"：770}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4810NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@12V
连续漏极电流：9A€54A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8880
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
输入电容：1260pF@15V
连续漏极电流：13A€58A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：265，"10+"：63975}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4815NH-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.26W€32.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：845pF@12V
连续漏极电流：6.9A€35A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：692psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：11480}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD4809NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@11.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1456pF@12V
连续漏极电流：9.6A€58A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD80N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2348ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4410EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2385pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU80N03A-TP
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：10958，"05+"：127926，"06+"：234436，"08+"：11，"10+"：504，"11+"：6007，"12+"：8548，"13+"：363，"15+"：117，"MI+"：462223}
包装规格(MPQ)：692psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2525pF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ414EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：10875}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4979N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.38W€26.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：837pF@15V
连续漏极电流：9.4A€41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4182EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@15V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：65000，"22+"：180000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4805NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.41W€79W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@11.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2865pF@12V
连续漏极电流：12.7A€95A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90N03-2M2P-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€250W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：257nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12065pF@15V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@32A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP160N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@60A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：39440，"09+"：57，"10+"：24375}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4809NH-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2155pF@12V
连续漏极电流：9.6A€58A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD480
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€21W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV52ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：630mW€5.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：3.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D22-30EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€19W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：7.2A€22A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：300，"15+"：25815}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4965N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.39W€38.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1710pF@15V
连续漏极电流：13A€68A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8870
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：118nC@10V
输入电容：5160pF@15V
连续漏极电流：21A€160A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D22-30EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€19W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：7.2A€22A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：24748}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD4808NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€54.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1538pF@12V
连续漏极电流：10A€63A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ414EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D22-30EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€19W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：7.2A€22A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
